Ⅰ，IGBT温度过高怎么修

1、清理清理散热片，让管子和散热片严密接触，包括上面的灰尘；

2、清理风扇，扇叶脏东西，轴承处可以加点润滑油；

3、清理风扇的风路，电磁炉外壳上的散热孔；

4、换功率大的管子，耐压不低于原有管子值，温度高只要不停机、烧毁就可以使用。

Ⅱ，igbt模块特点

IGBT的使用综合性能是非常优越的，决非其它功率器件所能替代的。兼MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

Ⅲ，PWM控制IGBT的工作原理

工作原理:

1、PWM控制技术在逆变电路中应用最广，应用的逆变电路绝大部分是PWM型，PWM控制技术正是有赖于在逆变电路中的应用，才确定了它在电力电子技术中的重要地位。1 PWM控制的基本原理的理论基础： 冲量相等而形状不同；

2、PWM控制的基本原理很早就已经提出，但是受电力电子器件发展水平的制约，在上世纪80年代以前一直未能实现。直到进入上世纪80年代，随着全控型电力电子器件的出现和迅速发展，PWM控制技术才真正得到应用。随着电力电子技术，微电子技术和自动控制。

Ⅳ，igbt饱和压降是什么

igbt饱和压降是在门极电压驱动下，IGBT工作于饱和区（什么是饱和区请查阅相关资料），IGBT集电极（C）与发射极（E）之间的电压差；不同的门极电压对应不同的饱和压降。

饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标，在门极驱动电压存在的情况下，发生IGBT过流，Vce会急剧上升，一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)左右，IGBT就会损坏。

一般的IGBT驱动保护模块就是通过监控Vce是否大于饱和压降，来实现IGBT过流保护的。

Ⅴ，IGBT开关的基础知识

IGBT是绝缘栅双极型晶体管，由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600伏及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。